Canon FPA 3030i6: Neues Halbleiter Lithografiesystem für kleine Wafer

Die Linse besteht aus hochdurchlässigem Glasmaterial, das die während der Belichtung auftretenden Linsenaberrationen² im Vergleich zu früheren Stepper-Modellen um mehr als 50 Prozent reduziert³. Eine höhere Transmission trägt auch dazu bei, die Belichtungszeit zu verkürzen und gleichzeitig die Abbildungsgenauigkeit selbst unter Bedingungen mit hoher Belichtungsdosis beizubehalten.

Die Verbesserung der Transmission der Projektionslinse erhöht auch die Belichtungsintensität und verkürzt die für jeden Prozess erforderliche Belichtungszeit. Die Standardproduktivität des FPA-3030i6 für 8-Zoll-Wafer (200 mm)⁴ wurde auf 130 Wafer pro Stunde im Vergleich zu 123 bei den vorherigen Stepper-Modellen erhöht. Da die Projektionsoptik sehr langlebig ist, wird die nachlassende Linsentransmission im Laufe der Zeit reduziert und die Produktivität kann über die gesamte Lebensdauer des Systems aufrechterhalten werden.

Der Einstellbereich der NA (numerische Apertur) wurde ebenfalls von 0,45 ~ 0,63 im Vorgängermodell auf 0,30 ~ 0,63 erweitert. Durch die kleinere NA können Kunden den optimalen NA-Wert für jede Belichtungsebene auswählen.

Optionale Produkte, wie ein Wafer-Handling-Systems für spezielle Substrate, sind erhältlich. Dies ermöglicht es, die Fertigungsanforderungen der Hersteller für verschiedene neu aufkommende Halbleiterbauelemente, einschließlich nachhaltiger Bauelemente für hohe Leistungen und hohe Wirkungsgrade zu erfüllen.

Der FPA-3030i6 wurde entwickelt, um ein breiteres Spektrum an Bauelementen herstellen zu können. So sind Prozessoptionen für Substrate aus Silizium (Si) und Saphir sowie Halbleiterverbundwerkstoffen wie Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs) verfügbar.

Canon bietet Optionen für den Wafertransport an, die die Handhabung von Substraten mit einem Durchmesser von 2 Zoll (50 mm) bis 8 Zoll (200 mm) sowie die Verwendung dicker, dünner und verzogener Substrate ermöglichen.